Samsung chuẩn bị ra mắt bộ nhớ 512GB DDR5-7200 với thiết kế package TSV 8 layer

JEDEC là hiệp hội hoàn thiện chuẩn bộ nhớ mới, đây cũng là tổ chức định hướng và phát triển bộ nhớ DRAM trong nhiều thập kỉ từ trước tới nay. Cách đây khoảng hơn 1 năm, JEDEC đã công bố đặc tả kĩ thuật chính thức cho DDR5 SDRAM. Tương tự tiền nhiệm DDR4, việc phát triển và công bố DDR5 nhằm mục đích đưa mật độ dung lượng và xung nhịp bộ nhớ lên một tầm cao mới.

Theo đó, RAM DDR5 sẽ có cùng số chân pin là 288 như DDR4, tuy nhiên việc bố trí các chân pin là khác nhau. Điều này  có nghĩa là người dùng sẽ không thể sử dụng các bộ nhớ RAM DDR5 trên khe cắm DDR4 và ngược lại. Theo dự kiến,  bộ nhớ RAM DDR5 bổ sung một tiến trình mới để đọc, ghi và làm tươi dữ liệu hiệu quả hơn và cải thiện hiệu năng ứng dụng với việc truyền thông tin tới bộ nhớ nhanh hơn so với DDR4.

Các nhà sản xuất DDR5 cũng đang rất tích cực chạy đua để chế tạo và sản xuất các phiên bản DDR5 tốt nhất trên thị trường. Theo đó, tại hội nghị HotChips 33, Samsung đã thông báo rằng họ đang phát triển bộ nhớ DDR5 với thiết kế package TSV 8 layer.  So với thế hệ DDR4 hiện tại của Samsung được thiết kế kế với package TSV 4 layer, việc thiết kế package TSV 8 layer sẽ giúp cho các bộ nhớ DDR5 sẽ có mức dung lượng gấp đôi và do đó việc xuất hiện các bộ nhớ có dung lượng 512GB DDR5 hoàn toàn khả thi.

Theo một báo cáo từ Computerbase, Samsung đã giảm khoảng cách giữa các chip xuống 40% bằng cách tối ưu hóa pakage, sử dụng công nghệ chế tạo các tấm wafer mỏng hơn. Điều này làm cho độ dày của các bộ nhớ DDR5 dựa trên package TSV 8 layer thực sự nhỏ hơn so với DDR4 4 layer, đồng thời khả năng tản nhiệt cũng tốt hơn.

Dung lượng của bộ nhớ DDR5 như đã nói ở trên, có thể lên tới 512GB, đây là một cải tiến rất lớn so với DDR4. Bộ nhớ DDR4 hiện tại cho thị trường máy chủ có thể đạt tối đa 256GB, trong khi thị trường tiêu dùng chỉ lên đến 64GB.

Samsung kỳ vọng bộ nhớ DDR5 sẽ cao hơn 85% so với hiệu suất DDR4, cung cấp băng thông 7,2Gbps và dung lượng gấp đôi, đồng thời điện áp của các module bộ nhớ DDR5 chỉ là 1,1V, giúp nó hoạt động tiết kiệm năng lượng hơn. Tất nhiên, mức dung lượng 512GB của các bộ nhớ DDR5 mà Samsung đề cập đến là sản phẩm dành cho phân khúc Server chứ không phải phân khúc tiêu dùng cuối.

Samsung dự đoán rằng thị trường phổ thông sẽ không chuyển sang DDR5 cho đến năm 2023 hoặc 2024, và thị trường DataCenter sẽ áp dụng dòng bộ nhớ DDR5 nhanh hơn nhiều. Do đó, Samsung có kế hoạch đẩy nhanh sản xuất dòng bộ nhớ 512GB DDR5-7200 vào cuối năm nay.